參數(shù)資料
型號: APT75GP120B2
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: B2, TMAX-3
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商: APT75GP120B2
050-7424
Rev
B
5-2003
APT75GP120B2
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
Emitter
Gate
Collector
(Cathode)
T-MAX (B2) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
IC
A
D.U.T.
APT60DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
TJ = 125 C
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
10%
td(on)
90%
tr
5 %
Switching Energy
5%
10%
Collector Current
0
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching
Energy
10%
90%
tf
TJ = 125 C
90%
t
d(off)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GP120B2 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GP120JDF3 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8011JLL 51 A, 800 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT75GP120J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT75GT120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B