參數(shù)資料
型號： APT75GT120JU3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 608K
代理商： APT75GT120JU3
APT75GT120JU3
A
PT
75G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3- 7
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF = 30A
2.0
2.5
IF = 60A
2.3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
VR = 1200V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR = 1200V
Tj = 125°C
500
A
CT
Junction Capacitance
VR = 200V
32
pF
Reverse Recovery Time
IF=1A,VR=30V
di/dt =100A/s
Tj = 25°C
31
Tj = 25°C
370
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
500
ns
Tj = 25°C
5
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
Tj = 125°C
12
A
Tj = 25°C
660
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
3450
nC
trr
Reverse Recovery Time
220
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
4650
nC
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
37
A
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.3
RthJC
Junction to Case
Diode
1.1
RthJA
Junction to Ambient (IGBT & Diode)
20
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ,TSTG Storage Temperature Range
-55
150
TL
Max Lead Temp for Soldering:0.063” from case for 10 sec
300
°C
Torque Mounting torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and terminals = 4mm Machine)
1.5
N.m
Wt
Package Weight
29.2
g
Typical IGBT Performance Curve
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
20
40
60
80
100
120
I
C (A)
Fm
ax
,O
p
er
at
ing
Fr
eque
nc
y(
kH
z)
V
CE=600V
D=50%
R
G=4.7
T
J=125°C
Operating Frequency vs Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT77N60BC6 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT77N60SC6 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT77N60JC3 77 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8014JFLL 42 A, 800 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT77H60J 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET
APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*