參數(shù)資料
型號: APT75GT120JU3
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 608K
代理商: APT75GT120JU3
APT75GT120JU3
A
PT
75G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5- 7
Typical Diode Performance Curve
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT77N60BC6 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT77N60SC6 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT77N60JC3 77 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8011JFLL 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8014JFLL 42 A, 800 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT77H60J 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET
APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件