參數(shù)資料
型號(hào)： APT8024B2VFR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 33 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TMAX-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 141K
代理商： APT8024B2VFR
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
AP4430GEM
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
ormalize
dT
h
ermal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
PDM
t
T
0.02
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 125℃/W
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,G
ate
to
S
ou
rc
eVoltage
(
V
)
I D =20 A
V DS =15 V
V DS =20 V
V DS =25 V
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
pF)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
20
40
60
80
01
234
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
I D
,Dr
ai
n
C
u
rr
ent
(A
)
T j =150
o CT
j =25
o C
V DS =5V
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