參數(shù)資料
型號： APT80GP60JD3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 68 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 523K
代理商： APT80GP60JD3
Advanced Power Technology
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)
VCE(ON)
IC2
RqJC
Part
Package
Volt
(25OC)
110OC(OC/watt)
Number
Style
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120K
TO-220
600
2.7
30
0.43
APT15GP60K
TO-220
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120B
TO-247
3.9
36
0.27
APT25GP120B
TO-247
3.9
46
0.23
APT35GP120B
TO-247
3.9
54
0.20
APT45GP120B
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60B
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60B
TO-247
2.7
62
0.23
APT40GP60B
TO-247
2.7
70
0.20
APT50GP60B
TO-247
1200
3.9
61
0.12
APT75GP120B2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60B2
T-MAXTM
2.7
100
0.12
APT80GP60B2
T-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120J
ISOTOP
3.9
34
0.38
APT45GP120J
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120J
ISOTOP
600
2.7
40
0.44
APT40GP60J
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60J
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60J
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60J
ISOTOP
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120BD1
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60BD1
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60BD1
TO-247
1200
3.9
36
0.27
APT25GP120B2D1
T-MAXTM
3.9
46
0.23
APT35GP120B2D2
T-MAXTM
3.9
54
0.23
APT45GP120B2D2
T-MAXTM
600
2.7
62
0.23
APT40GP60B2D1
T-MAXTM
2.7
72
0.20
APT50GP60B2D2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60L2D2
264-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120JD2
ISOTOP
3.9
34
0.44
APT45GP120JD2
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120JD2
ISOTOP
600
2.7
31
0.51
APT30GP60JD1
ISOTOP
2.7
40
0.44
APT40GP60JD1
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60JD2
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60JD2
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60JD3
ISOTOP
Single
TO-220
TO-220[K]
TO-247[B]
T-MAX[B2]
T-Max
ISOTOP[J]
SOT-227
G
E
C
TO-264
Max
264 MAX [L2]
TO-247
Combi (IGBT & FRED)
相關PDF資料
PDF描述
APT15GP60BD1 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GP120B2D1 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT13GP120BD1 21 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GP60B2D2 72 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GP60JD2 46 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:10 系列:*
APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT80SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1
APT80SM120J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1
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