參數(shù)資料
型號： APTCV50H60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 348K
代理商： APTCV50H60T3G
APTCV50H60T3G
A
P
T
C
V50H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
3-9
1.2 Top fast diode characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
25
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
IF = 30A
1.8
2.3
IF = 60A
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.5
V
Tj = 25°C
25
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
160
ns
Tj = 25°C
35
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
480
nC
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
1.2
°C/W
2. Bottom switches
2.1 Bottom CoolMOS characteristics
Absolute maximum ratings
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VGS = 0V,VDS = 600V
Tj = 25°C
250
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VGS = 0V,VDS = 600V
Tj = 125°C
500
A
RDS(on)
Drain – Source on Resistance
VGS = 10V, ID = 24.5A
40
45
m
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS = VDS, ID = 3mA
2.1
3
3.9
V
IGSS
Gate – Source Leakage Current
VGS = ±20 V, VDS = 0V
100
nA
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VDSS
Drain - Source Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
49
ID
Continuous Drain Current
Tc = 80°C
38
IDM
Pulsed Drain current
130
A
VGS
Gate - Source Voltage
±20
V
RDSon
Drain - Source ON Resistance
45
m
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
290
W
IAR
Avalanche current (repetitive and non repetitive)
15
A
EAR
Repetitive Avalanche Energy
3
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
1900
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100SK120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTCV60HM45BC20T3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV60HM45BT3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV60HM45RCT3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTCV60HM70BT3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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