參數(shù)資料
型號： APTCV50H60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 348K
代理商： APTCV50H60T3G
APTCV50H60T3G
A
P
T
C
V50H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
8-9
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S,
D
rain
to
S
ource
B
reak
down
Vol
tage
(Norm
al
iz
ed)
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50 -25 0
25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(on)
,D
ra
in
to
Source
O
N
resis
tanc
e
(N
orma
li
ze
d)
VGS=10V
ID= 50A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(TH
),
Thre
shold
Vol
tage
(N
or
malized)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(A
)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
apa
cita
nce
(pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Gate Charge (nC)
V
GS
,Gate
to
S
ourc
eV
o
lt
ag
e(V)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=50A
TJ=25°C
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PDF描述
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100SK120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTCV60HM45BC20T3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTCV60HM45RCT3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTCV60HM70BT3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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