參數(shù)資料
型號(hào)： APTCV60TLM24T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
文件大?。?/td> 300K
代理商： APTCV60TLM24T3G
APTCV60TLM24T3G
APT
C
V60T
LM
24T
3G
–
Rev
0
October
,2009
www.microsemi.com
1- 13
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
See application note APT0502 on www.microsemi.com
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4
All multiple inputs and outputs must be shorted together
Example: 10/11/12 ; 7/8 …
Trench & Field Stop IGBT Q2, Q3:
VCES = 600V ; IC = 75A @ Tc = 80°C
CoolMOS Q1, Q4:
VDSS = 600V ; ID = 70A @ Tc = 80°C
Application
Solar converter
Uninterruptible Power Supplies
Features
Q2, Q3 Trench + Field Stop IGBT Technology
- Low voltage drop
- Low tail current
- Switching frequency up to 20 kHz
- Soft recovery parallel diodes
- Low diode VF
- Low leakage current
- RBSOA and SCSOA rated
Q1, Q4 CoolMOS
- Ultra low RDSon
- Low Miller capacitance
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
- Very rugged
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS Compliant
Three level inverter
CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTCV60TLM45T3G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV100H60BTPG 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV25H120BG 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60BG 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
AS-40.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTCV60TLM45T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM70T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM991G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV90TL12T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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