參數(shù)資料
型號： APTCV60TLM24T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大?。?/td> 300K
代理商： APTCV60TLM24T3G
APTCV60TLM24T3G
APT
C
V60T
LM
24T
3G
–
Rev
0
October
,2009
www.microsemi.com
8- 13
Q1 & Q4 Typical performance curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rm
a
lImpe
da
nc
e
(
°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
0
80
160
240
320
400
480
560
640
720
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
240
280
01
2
3
45
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
0
40
80
120 160 200 240 280
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n
)Drai
n
to
S
o
urce
ON
R
esi
stan
ce
Normalized to
VGS=10V @ 95A
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
Drain
Cu
rren
t(A)
DC Drain Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTCV60TLM45T3G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV100H60BTPG 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV25H120BG 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60BG 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
AS-40.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTCV60TLM45T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM70T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM991G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTCV60TLM99T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTCV90TL12T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*