參數(shù)資料
型號： APTGF150DH120
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 非對稱-橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： APTGF150DH120
APTGF150DH120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 2mA
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 150A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 5 mA
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
Min
1200
4.5
Typ
0.2
12
3.3
4
Max
3
3.9
6.5
±500
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
mA
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 150A
R
G
= 5
Min
Typ
10.5
1.5
0.8
70
50
500
30
8.5
9
Max
Unit
nF
ns
mJ
Test Conditions
50% duty cycle
I
F
= 200A
I
F
= 400A
I
F
= 200A
I
F
= 200A
V
= 800V
di/dt =400A/μs T
j
= 125°C
I
F
= 200A
V
= 800V
di/dt =400A/μs T
j
= 125°C
Min
Typ
200
2.0
2.3
1.8
Max
2.5
Unit
A
Tc = 70°C
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 125°C
V
T
j
= 25°C
420
t
rr
Reverse Recovery Time
580
ns
T
j
= 25°C
2.5
Q
rr
Reverse Recovery Charge
10.7
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF150H120 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF300SK120 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF350A60 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF350DU60 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T Phase leg NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF150DH120G 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF150DU120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF150H120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF150H120G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*