參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF300SK120
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Buck chopper NPT IGBT Power Module
中文描述： 降壓斬波器不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 227K
代理商： APTGF300SK120
APTGF300SK120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
0
100
200
300
400
500
600
4
6
8
10
12
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
V
CE
=600V
V
CE
=800V
0
4
8
12
16
20
0
500
1000
1500
2000
2500
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 300A
T
J
= 25°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
25
T
C
, Case Temperature (°C)
50
75
100
125
150
I
DC Collector Current vs Case Temperature
tdoff
tdon
tr
tf
10
100
1000
0
100
Ic, Collector current (A)
200
300
400
t
Switching times vs collector current
V
CE
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
=2
T
J
= 125°C
Cres
Coes
Cies
1
10
100
0
10
20
30
C
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
Eon
Eoff
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate resistance (Ohms)
S
Switching energy losses vs Gate resistance
V
CE
= 600V
V
GE
=
±
15V
I
C
=300A
T
J
= 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF350A60 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF350DU60 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50SK120T Buck chopper NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF300SK120D3G 功能描述:IGBT 1200V 420A 2100W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF300SK120G 功能描述:IGBT 1200V 400A 1780W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF300U120D 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF300U120DG 功能描述:IGBT 1200V 400A 1780W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF300U60AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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