參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90H60TG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-14
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 288K
代理商： APTGF90H60TG
APTGF90H60TG
A
P
T
G
F
90
H
60T
G
–
R
ev
3
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
012
34
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01
234
Ic,
C
o
llect
o
rC
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
012
345
6789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rB
re
ak
d
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(
N
o
rm
aliz
e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
140
-50 -25
0
255075 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
t
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e(
V
)
IC = 90A
TJ = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1G 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF90SK60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module Power Module
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