參數(shù)資料
型號： APTGF90H60TG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-14
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 288K
代理商： APTGF90H60TG
APTGF90H60TG
A
P
T
G
F
90
H
60T
G
–
R
ev
3
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
5 - 6
VGE = 15V
15
20
25
30
35
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n)
,Turn-
O
n
D
el
ay
Ti
m
e(
n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
ff
),
T
u
rn
-Off
D
e
la
yT
im
e
(n
s)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e
(n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
all
T
im
e(
n
s
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,Turn
-O
n
E
n
er
gy
Los
s
(
m
J)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ= 25°C
TJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
Turn-
of
fE
n
er
g
yLos
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
Eon, 45A
Eoff, 45A
0
4
8
12
16
0
10203040
50
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
ch
in
g
E
n
e
rg
y
L
o
ss
es
(
m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
Eon, 45A
Eoff, 45A
0
2
4
6
8
10
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
c
h
ing
E
n
e
rgy
Lo
ss
e
s(
m
J
)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
相關PDF資料
PDF描述
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1G 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF90SK60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60T1G 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF90SK60TG 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*