參數(shù)資料
型號： APTGT50TDU170P
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module
中文描述： 三雙共源溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： APTGT50TDU170P
APTGT50TDU170P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 2.5mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
Typ
2.0
2.4
Max
5
2.4
6.5
600
Unit
V
mA
1700
5.0
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
X
E
off
Turn-off Switching Energy
Y
X
E
on
includes diode reverse recovery
Y
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V ;V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
Diode
Min
Typ
4400
150
200
90
720
90
220
90
820
110
29
22
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1700
Typ
1.8
1.9
19
Max
250
500
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
V
= 900V
di/dt =990A/μs T
j
= 125°C
V
Q
rr
Reverse Recovery Charge
30
μC
相關PDF資料
PDF描述
APTGT50TDU60P Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50X120BTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X120RTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X170BTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X170RTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50TDU170PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50TDU60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TDU60PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50TL601G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
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