- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369368 > APTGT50TDU170P (Advanced Power Technology Ltd.) Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APTGT50TDU170P |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module |
| 中文描述： | 三雙共源溝道IGBT功率模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | APTGT50TDU170P |
APTGT50TDU170P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
I
C
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
I
C
(A)
F
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=22
T
J
=125°C
T
C
=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT50TDU60P | Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT50X120BTP3 | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
| APTGT50X120RTP3 | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
| APTGT50X170BTP3 | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
| APTGT50X170RTP3 | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT50TDU170PG | 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT50TDU60P | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT50TDU60PG | 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT50TL601G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT50TL60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。