參數(shù)資料
型號(hào)： APTGV100H60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 372K
代理商： APTGV100H60T3G
APTGV100H60T3G
A
P
TG
V
100H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
8-9
VGE = 15V
15
20
25
30
35
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td(on)
,Turn-On
Del
ay
Ti
m
e(ns)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
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o
ff),
Tur
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ff
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Ti
m
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(ns
)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
is
eTime
(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf,
Fa
ll
Ti
m
e(ns
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,
Turn-O
n
Energy
Loss
(mJ)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
6
0
255075
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
Turn-off
Energy
Los
s(mJ)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
Eon, 45A
Eoff, 45A
0
4
8
12
16
0
10
2030
4050
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Switc
h
ing
E
n
er
gy
Losse
s(mJ)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
50
100
150
200
250
0
200
400
600
800
I C
,C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV15H120T3G 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV25H120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV30H60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60T3G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTM100A13S 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGV15H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H120BTPG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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