參數資料
型號： APTGV100H60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數： 9/9頁
文件大?。?/td> 372K
代理商： APTGV100H60T3G
APTGV100H60T3G
A
P
TG
V
100H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
9-9
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020
3040
50
C
,C
apa
ci
ta
n
ce
(
pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
ermal
I
m
p
edance
(
°C/
W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
20
40
60
80
100
120
IC, Collector Current (A)
F
m
ax
,O
p
erat
in
g
Freq
uen
cy
(kH
z)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
TC = 75°C
7.2 Bottom diode typical performance curves
T
J=-55°C
T
J=25°C
T
J=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
F, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,For
w
ar
d
C
u
rr
en
t
(A
)
Forw ard Current vs Forw ard Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
al
Im
pe
da
n
ce
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Therm al Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
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PDF描述
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