參數(shù)資料
型號： APTGV25H120BG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-21
文件頁數(shù)： 14/14頁
文件大?。?/td> 446K
代理商： APTGV25H120BG
APTGV25H120BG
A
P
TG
V25H
120
BG
–
R
ev
0
Se
ptem
be
r,
200
7
www.microsemi.com
9-14
7. Full bridge bottom switches curves
7.1 Bottom fast NPT IGBT typical performance curves
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
01
23
4567
8
Ic
,C
o
ll
ec
to
rC
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
4
8
12
16
20
00.5
1
1.5
22.5
3
3.5
Ic,
Coll
ec
tor
Curre
nt
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
120
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
ll
ec
to
rC
u
rr
en
t
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
30
60
90
120
150
180
Gate Charge (nC)
V
GE
,Gat
eto
E
m
itt
er
V
o
lt
age
(V
)
IC = 25A
TJ = 25°C
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
101112
131415
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,Coll
ec
tor
to
E
m
itt
er
V
o
lt
age
(V
)
TJ = 125°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
ll
ec
to
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
Coll
ec
tor
to
Em
itt
er
Bre
akdown
V
o
ltage
(N
orm
al
iz
ed)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,
D
C
Coll
ec
tor
Curr
ent
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV50H60BG 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
AS-40.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz
AS-27.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 27 MHz
AS-4.194304-S-FUND-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4.194304 MHz
AS-27.000-S-3OT-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 27 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 標(biāo)準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H60BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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