參數(shù)資料
型號: APTGV25H120BG
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-21
文件頁數(shù): 2/14頁
文件大小: 446K
代理商: APTGV25H120BG
APTGV25H120BG
A
P
TG
V25H
120
BG
R
ev
0
Se
ptem
be
r,
200
7
www.microsemi.com
10 - 14
VGE = 15V
50
55
60
65
70
75
5
1525
354555
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n
),
T
u
rn
-O
n
De
la
yT
im
e(n
s)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 22
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
200
250
300
350
400
5
152535
45
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
td
(o
ff),
T
u
rn
-O
ff
De
la
yT
im
e
(n
s)
VCE = 600V
RG = 22
VGE=15V
0
40
80
120
160
5
1525
3545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,Ri
se
T
im
e(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 22
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
25
30
35
40
45
50
5
15253545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,Fall
Ti
me
(ns
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 22
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
10
5
1525
3545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on,
Tu
rn-O
n
Ene
rgy
Los
s
(mJ
)
VCE = 600V
RG = 22
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
1525
354555
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,T
u
rn-
o
ff
E
n
er
gy
Lo
ss
(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 22
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
1
2
3
4
5
0
1020
3040
5060
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ching
E
n
er
gy
Los
se
s(mJ)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
400
800
1200
I C
,
C
o
ll
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to
rC
u
rr
en
t(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關PDF資料
PDF描述
APTGV50H60BG 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
AS-40.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz
AS-27.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 27 MHz
AS-4.194304-S-FUND-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4.194304 MHz
AS-27.000-S-3OT-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 27 MHz
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參數(shù)描述
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