參數(shù)資料
型號(hào)： ARF466A
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 167K
代理商： ARF466A
ARF466A_B
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
050-4925
Rev
B
2-2005
TC,CASETEMPERATURE(°C)
Figure 5, Typical Threshold Voltage vs Temperature
VDS,DRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE(VOLTS)
Figure 6, Typical Output Characteristics
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
V
GS(th)
,THRESHOLD
VOLTAGE
(NORMALIZED)
5.5V
4.5V
5V
6V
VGS=15 & 10V
8V
4V
Figure 7b,TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
SINGLE PULSE
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
FIGURE7a,MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvsPULSEDURATION
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
Table 1 - Typical Class AB Large Signal Input - Output Impedance
Freq. (MHz)
ZOL ()
ZIN - Gate shunted with 25
IDQ = 100mA
ZOL - Conjugate of optimum load for 300W output at Vdd = 150V
ZIN ()
2.0
13.5
27.1
40.7
65
17.9 - j 11.2
1.1 - j 4.9
.25 - j 1.5
.15 - j 0.9
.31 + j 2.0
30 - j 1.7
25.7 - j 9.8
18 - j 13.3
12 - j 12.6
6.2 - j 8.9
0.113
°C/W
0.236
°C/W
0.0130 F
0.147 F
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp(
°C)
Case temperature(
°C)
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PDF描述
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