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參數(shù)資料
| 型號： | AS29F200T-90SI |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.600 INCH, SO-44 |
| 文件頁數(shù)： | 16/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 375K |
| 代理商： | AS29F200T-90SI |
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Parameter
Sector erase and verify-1 time (excludes 00h programming prior to erase)
Word programming time
Byte program time
Chip programming time
Erase/program cycles
Limits
Typical
1.6
60
60
7.5
-
Unit
sec
μs
μs
sec
cycles
Min
Max
-
-
-
-
10,000
-
-
-
-
-
CE
OE
WE
DQ7
t
CH
t
OH
t
WHWH1 or 2
t
OE
t
OEH
t
CE
t
DF
High Z
Input DQ7
Output DQ7
Output
CE
WE
OE
DQ6
t
OEH
t
DH
t
OE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS29F200T-90TC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200T-90TI | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS336 | Voltage Reference |
| AS336AT | Voltage Reference |
| AS336BN | Voltage Reference |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS29F200T-90TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200T-90TI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29LV016 | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
| AS29LV016BRG-100/ET | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
| AS29LV016BRG-100/XT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
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