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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS29P200 |
| 英文描述： | 5V 256K x 8 / 128K x 16 CMOS Flash EEPROM |
| 中文描述： | 5V的256K × 8 / × 16的CMOS 128K的閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 10/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 375K |
| 代理商： | AS29P200 |
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533
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43
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1#72:233
'$7$
#
SROOLQJ
#
DOJRULWKP
VA = Byte address for programming. VA = any of the sector
addresses within the sector being erased during Sector Erase. VA
= valid address equals any non-protected sector group address
during Chip Erase.
DQ7 rechecked even if DQ5 = 1 because DQ5 and DQ7 may not
change simultaneously.
7RJJOH
#
ELW
#
DOJRULWKP
DQ6 rechecked even if DQ5 = 1 because DQ6 may stop toggling
when DQ5 changes to 1.
Readbyte(DQ0–DQ7)
Address= VA
Readbyte(DQ0–DQ7)
Address= VA
NO
DONE
NO
NO
YES
FAIL
YES
YES
DONE
DQ7
=
data
DQ5
=
1
DQ7
=
data
Readbyte(DQ0–DQ7)
Address= dont care
Readbyte(DQ0–DQ7)
Address= dont care
NO
DONE
YES
YES
YES
FAIL
NO
NO
DONE
DQ6
=
toggle
DQ6
=
toggle
DQ5
=
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS29F200 | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-120SC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-120SI | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-120TC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-120TI | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS29R09JLF | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:AS29R09JLF |
| AS29R10HLF | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:AS29R10HLF |
| AS29R31FLF | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:AS29R31FLF |
| AS29R31HLF | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:AS29R31HLF |
| AS29R53FLF | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:AS29R53FLF |
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