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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C4M4F1Q-50JC |
| 英文描述： | x4 Fast Page Mode DRAM |
| 中文描述： | x4快速頁面模式的DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 986K |
| 代理商： | AS4C4M4F1Q-50JC |
16 Me
g FPM DRAM
AS4C4M4
Austin Semiconductor, Inc.
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
4
AS4C4M4
Rev. 1.0 5/03
CAPACITANCE
(T
A
< +25
o
C ; Vcc = 5V +10%)
PARAMETER
Input capacitance (A0 - A11)
SYMBOL
C
IN1
MAX
6
UNITS
pF
Input capacitance (RAS\, CAS\, W\, OE\)
C
IN2
8
pF
Output capacitance (DQ0 - DQ3)
C
DQ
8
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
1,2
(-55
o
C<T
A
<+125
o
C & -40
o
C<T
A
<+85
o
C; Vcc = 5V +10%; V
IH
/V
IL
= 2.4/0.8V; V
OH
/V
OL
= 2.4/0.4V)
MIN
110
MAX
MIN
130
MAX
t
RC
Random read or write cycle time
ns
t
RWC
Read-modify-write cycle time
155
185
ns
t
RAC
Access time from RAS\
60
70
ns
3, 4, 10
t
CAC
Access time from CAS\
15
20
ns
3, 4, 5
t
AA
Access time from column address
30
35
ns
3, 10
t
CLZ
CAS\ to output in Low-Z
0
0
ns
3
t
OFF
Output buffer turn-off delay
0
15
0
15
ns
6
t
T
Transition time (raise and fall)
3
50
3
50
ns
2
t
RP
RAS\ precharge time
40
50
ns
t
RAS
RAS\ pulse width
60
10K
70
10K
ns
t
RSH
RAS\ hold time
15
17
ns
t
CSH
CAS\ hold time
60
65
ns
t
CAS
CAS\ pulse width
15
10K
18
10K
ns
t
RCD
RAS\ to CAS\ delay time
20
45
25
50
ns
4
t
RAD
RAS\ to column address delay time
15
30
17
35
ns
10
t
CRP
CAS\ to RAS\ precharge time
5
5
ns
t
ASR
Row address set-up time
0
0
ns
t
RAH
Row address hold time
10
10
ns
t
ASC
Column address set-up time
0
0
ns
t
CAH
Column address hold time
10
12
ns
t
RAL
Column address to RAS\ lead time
30
35
ns
t
RCS
Read command set-up time
0
0
ns
t
RCH
Read command hold time referenced to CAS\
0
0
ns
8
t
RRH
Read command hold time referenced to RAS\
0
0
ns
8
t
WCH
Write command hold time
10
12
ns
t
WP
Write command pulse width
10
12
ns
t
RWL
Write command to RAS\ lead time
15
17
ns
t
CWL
Write command to CAS\ lead time
15
17
ns
UNITS
NOTES
SYMBOL
PARAMETER
-60
-70
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC4M4E0-60TI | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E1 | 4M x 4 CMOS DRAM (EDO) Family |
| AS4LC4M4E1-50JC | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E1-50JI | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E1-50TC | x4 EDO Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F1Q-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|28PIN|PLASTIC |
| AS4C4M4F1Q-60JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F1Q-60TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC |
| AS4C512M16D3L-12BCN | 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR3L SDRAM 存儲容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190 |
| AS4C512M16D3L-12BCNTR | 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲容量:8Gb （512M x 16） 時鐘頻率:800MHz 寫周期時間 - 字，頁:15ns 訪問時間:13.75ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
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