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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4C4M4F1Q-50JC |
| 英文描述： | x4 Fast Page Mode DRAM |
| 中文描述： | x4快速頁(yè)面模式的DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 986K |
| 代理商： | AS4C4M4F1Q-50JC |
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16 Me
g FPM DRAM
AS4C4M4
Austin Semiconductor, Inc.
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
7
AS4C4M4
Rev. 1.0 5/03
READ CYCLE
NOTES (continued):
8. Either t
or t
must be satisfied for a read cycle.
9. These parameters are referenced to CAS\ falling edge in early write cycles and to W\ falling edge in read-modify-write
cycles.
10. Operation within the t
(MAX) limit insures that t
(MAX) can be met. t
(MAX) is specified as a reference point only.
If t
is greater than the specified t
(MAX) limit, then access time is controlled by t
AA
.
11. These specifications are applied in the test mode.
12. In test mode read cycle, the value of t
, t
, t
is delayed by 2ns to 5ns for the specified values. These parameters
should be specified in test mode cycles by adding the above value to the specified value in this data sheet.
13. If t
> 100 us, then RAS\ precharge time must use t
instead of t
.
14. For RAS\-only refresh and burst CAS\-before-RAS\ refresh mode, 2048 cycles of burst refresh must be executed within
32ms before and after self refresh, in order to meet refresh specification.
15. For distributed CAS\-before-RAS\ with 15.6us interval CAS\-before-RAS\ refresh should be executed with in 15.6us
immediately before and after self refresh in order to meet refresh specification.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC4M4E0-60TI | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E1 | 4M x 4 CMOS DRAM (EDO) Family |
| AS4LC4M4E1-50JC | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E1-50JI | x4 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC4M4E1-50TC | x4 EDO Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C4M4F1Q-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|28PIN|PLASTIC |
| AS4C4M4F1Q-60JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C4M4F1Q-60TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC |
| AS4C512M16D3L-12BCN | 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA COM 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190 |
| AS4C512M16D3L-12BCNTR | 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
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