參數(shù)資料
型號： AS4C4M4F1Q-60JC
英文描述： x4 Fast Page Mode DRAM
中文描述： x4快速頁面模式的DRAM
文件頁數(shù)： 2/19頁
文件大?。?/td> 986K
代理商： AS4C4M4F1Q-60JC
16 Me
g FPM DRAM
AS4C4M4
Austin Semiconductor, Inc.
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2
AS4C4M4
Rev. 1.0 5/03
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS\
V
CC
V
SS
CAS\
W\
(A0 - A10)
(A0 - A10)
OE\
DQ0
to
DQ3
Control
Clocks
VBB Generator
Refresh Timer
Refresh Control
Refresh Counter
Row Address Buffer
Col. Address Buffer
Memory Array
4,194,304 x 4
Cells
Row Decoder
Column Decoder
S
Data In
Buffer
Data Out
Buffer
*Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum
Ratings" may cause permanent damage to the device. This is
a stress rating only and functional operation of the device at
these or any other conditions above those indicated in the
operation section of this specification is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability. Junction temperature depends
upon package type, cycle time, loading, ambient temperature
and airflow, and humidity (plastics).
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on any pin relative to V
(V
IN
, V
OUT
) .....-1.0V to +7.0V
Voltage on V
supply relative to V
(V
Storage Temperature (T
)................................-55°C to +150°C
Power Dissipation (P
).............................................................1W
Short Circuit Output Current (I
OS
Address).........................50mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(-55
o
C < T
A
< +125
o
C & -40
o
C < T
A
< +85
o
C ; Vcc = 5V +10%)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
Supply Voltage
V
CC
4.5
Input High Voltage
V
IH
2.4
Input Low Voltage
V
IL
TYP
5.0
MAX
5.5
UNITS
V
---
V
CC
+ 0.5
1
0.8
V
-0.5
2
---
V
NOTES:
1. V
CC
+ 2.0V/20ns, Pulse width is measured at V
CC
2. -2.0V/20ns, Pulse width is measured at V
SS
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PDF描述
AS4C4M4F1Q-60TC DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|TSOP|28PIN|PLASTIC
AS4C4M4F1-50JI x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1-50TC x4 Fast Page Mode DRAM
AS4C4M4F1-50TI x4 Fast Page Mode DRAM
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AS4C512M16D3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
AS4C512M16D3L-12BIN 功能描述:IC SDRAM DDR3 512MX16 96FBGA IND 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR3L SDRAM 存儲容量:8G（512M x 16） 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:190
AS4C512M16D3L-12BINTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 96BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - DDR3L 存儲容量:8Gb （512M x 16） 時(shí)鐘頻率:800MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:15ns 訪問時(shí)間:13.75ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:96-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:96-FBGA（14x9） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
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