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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC1M16E5-60TC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 3V的100萬× 6的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數(shù)： | 6/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | AS4LC1M16E5-60TC |
AS4LC1M16E5
4/11/01
Alliance Semiconductor
6
Write cycle
Shaded areas indicate advance information.
Read-modify-write cycle
Shaded areas indicate advance information.
Refresh cycle
Shaded areas indicate advance information.
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
–
0
–
ns
14
Write command hold time
10
–
10
–
ns
14
Write command pulse width
10
–
10
–
ns
Write command to RAS lead time
10
–
10
–
ns
Write command to CAS lead time
8
–
10
–
ns
Data-in setup time
0
–
0
–
ns
15
Data-in hold time
8
–
10
–
ns
15
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
113
–
135
–
ns
RAS to WE delay time
67
–
77
–
ns
14
CAS to WE delay time
32
–
35
–
ns
14
Column address to WE delay time
42
–
47
–
ns
14
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
5
–
5
–
ns
6
CAS hold time (CAS-before-RAS)
8
–
10
–
ns
6
RAS precharge to CAS hold time
0
–
0
–
ns
t
CPT
CAS precharge time
(CBR counter test)
10
–
10
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16E5-60TI | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5 | 3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS5C1008-15 | 128K x 8 SRAM RUGGEDIZED PLASTIC HIGH SPEED SRAM |
| AS5C512K8ECJ-25 | µP-Compatible 14-Bit CMOS DAC; Package: CERDIP GLASS SEAL; No of Pins: 20; Temperature Range: Industrial |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16E5-60TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16EC6/883 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC1M16EC7/883 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC1M16EC8/883 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC1M16ECG6/883 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
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