參數(shù)資料
型號： AS8510-ASST
廠商： ams
文件頁數(shù)： 46/47頁
文件大小： 0K
描述： IC BATTERY MANAGEMENT 20-SSOP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： AS8510 Data Acquisition IC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,000
類型： 電池管理
輸入類型： 模擬，數(shù)字
輸出類型： 模擬，數(shù)字
接口： SPI 串行
電流 - 電源： 5mA
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-SSOP
包裝： 帶卷 (TR)
Revision 3.5
7 - 46
AS8510
Datasheet - Electrical Character i s t ics
6 Electrical Characteristics
6.1 Operating Conditions
6.2 DC/AC Characteristics for Digital Inputs and Outputs
All pull-up and pull-down have been implemented with active devices. SDO has been measured with 10pF load.
Table 3. Operating Conditions
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Units
AVDD
Positive analog supply voltage
3.0
3.6
V
AVSS
0V Ground
0
V
A - D
Difference in analog and digital supplies
0.1
V
DVDD
Positive digital supply
2.97
3.63
V
DVSS
0V Digital Ground
0
V
TAMB
Ambient temperature
-40
125
C
ISUPP
Supply current
5.5
mA
fCLK
System clock frequency
1
1. Nominal clock frequency from external or internal oscillator.
4.096
MHz
Table 4. INT
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
ILEAK
Tri-state leakage current
-1
+1
A
VOH
High level output voltage
2.5
V
VOL
Low level output voltage
0.4
V
IO
Output Current
4
mA
Table 5. CS Input
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
VIH
High level input voltage
2.0
V
VIL
Low level input voltage
0.8
V
ILEAK
Input leakage current
-1
+1
A
Ipu
Pull up current
CS pulled to DVDD = 3.3V
-150
-15
A
Table 6. SDI
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
VIH
High level input voltage
2.0
V
VIL
Low level input voltage
0.8
V
ILEAK
Input leakage current
-1
+1
A
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