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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ASD355-N |
| 廠商： | 美麗微半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 平面型硅外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | ASD355-N |
Advanced Switching Diode
ASD355-N
Silicon epitaxial planar type
Features
Small surface mounting type
High reliability
High speed ( t
rr
< 4 ns )
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDEC SOD-323
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by cathode band
Mounting Position : Any
Weight : 0.000159 ounce, 0.0045 gram
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
100
V
Peak forward surge current
t
p
< 1s
I
FSM
500.0
mA
Average forward current
V
R
= 0
I
FAV
100
mA
Power dissipation
P
V
350
mW
Junction temperature
T
j
175
o
C
Storage temperature
T
STG
-55
+175
o
C
Formosa MS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward voltage
I
F
= 10mA
V
F
1.2
V
V
R
= 25V
I
R
100
nA
V
R
= 25V , T
j
= 150
o
C
I
R
50
uA
V
R
= 80V
I
R
30
uA
Breakdown current
I
R
= 100uA , T
P
/T = 0.01 T
P
= 0.3ms
V
(BR)
100
V
Diode capacitance
V
R
= 0 , f = 1MHz , V
HF
= 50mV
C
D
4.0
pF
Thermal resistance
Junction to ambient
R
th
JA
K/mW
Reverse recovery time
I
F
=10mA, V
R
=6V, I
RR
= 0.1 X I
R
, R
L
=100
OHM
t
rr
4
ns
Reverse current
SOD-323
0.106 (2.7)
0.090 (2.3)
0.012(0.3) Typ.
0.053 (1.35)
0.045 (1.15)
0.035 (0.9)
0.028 (0.7)
R0.5 (0.02) Typ.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASD500V-N | Advanced Schottky Barrier Diodes - Surface mount small signal type |
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| ASD501V | ER 10C 10#16 SKT RECP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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