參數資料
型號： AT-30533-BLK
英文描述： Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
中文描述： 低電流，高性能NPN硅雙極晶體管
文件頁數： 5/10頁
文件大小： 101K
代理商： AT-30533-BLK
4-27
AT-30533 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
Γ
OPT
Freq
GHz
0.5
[2]
0.9
1.8
2.4
F
min[1]
dB
0.3
0.4
0.9
1.3
R
n
Mag
0.94
0.89
0.75
0.65
Ang
7
16
43
65
1.02
0.86
0.58
0.38
Notes:
1. Matching constraints may make F
values associated with high |
Γ
| values
2. unachievable in physical circuits. See Fig. 2 for expected performance.
AT-30511 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
Γ
OPT
Freq
GHz
0.5
[2]
0.9
1.8
2.4
F
min[1]
dB
0.3
0.4
0.9
1.3
R
n
Mag
0.96
0.92
0.83
0.76
Ang
10
19
43
60
1.49
1.33
0.98
0.74
Notes:
1. Matching constraints may make F
values associated with high |
Γ
| values
unachievable in physical circuits. See Fig. 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-30533 Typical Scattering Parameters,
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA
,
Common Emitter, Z
O
= 50
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
0.1
0.95
-5
10.90
3.51
0.5
0.91
-25
10.32
3.28
0.9
0.77
-41
9.44
2.97
1.0
0.73
-45
9.03
2.83
1.5
0.55
-62
7.75
2.44
1.8
0.46
-71
6.94
2.22
2.0
0.41
-76
6.51
2.12
2.4
0.30
-85
5.45
1.87
3.0
0.17
-95
4.26
1.63
4.0
0.02
-139
2.71
1.37
5.0
0.12
61
1.56
1.20
S
12
Mag
0.01
0.06
0.09
0.10
0.12
0.14
0.14
0.16
0.18
0.24
0.31
S
22
dB
-38.36
-25.08
-20.95
-20.21
-18.13
-17.33
-16.84
-16.05
-14.80
-12.58
-10.14
Ang
87
73
63
61
54
51
50
49
49
48
45
Mag
0.99
0.95
0.89
0.88
0.80
0.77
0.74
0.71
0.68
0.65
0.62
Ang
-3
-14
-24
-25
-33
-36
-38
-41
-46
-57
-69
174
150
128
124
102
91
85
73
57
37
19
AT-30511 Typical Scattering Parameters,
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, Common Emitter, Z
O
= 50
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.97
-5
10.84
3.48
0.5
0.95
-24
10.51
3.35
0.9
0.85
-42
9.96
3.15
1.0
0.83
-46
9.66
3.04
1.5
0.70
-67
8.71
2.73
1.8
0.63
-78
8.06
2.53
2.0
0.59
-85
7.75
2.44
2.4
0.50
-100
6.73
2.17
3.0
0.39
-122
5.58
1.90
4.0
0.29
-161
3.97
1.58
5.0
0.27
153
2.64
1.36
S
12
Mag
0.01
0.05
0.08
0.09
0.12
0.13
0.14
0.14
0.15
0.16
0.17
S
22
Ang
175
155
137
133
113
102
96
84
67
45
25
dB
-39.42
-25.87
-21.46
-20.71
-18.44
-17.69
-17.27
-16.79
-16.32
-15.87
-15.47
Ang
86
72
61
58
46
41
37
32
27
20
20
30
Mag
0.99
0.95
0.92
0.91
0.84
0.80
0.77
0.73
0.68
0.63
0.61
Ang
-2
-14
-24
-26
-36
-40
-43
-48
-53
-63
-72
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 17. AT-30511 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA.
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 18. AT-30533 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 2.7 V, I
C
= 1 mA.
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PDF描述
AT-30511 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor(小電流，高性能NPN硅雙極型晶體管)
AT-31033-BLK TERM BLOCK HDR 5.08MM 3POS PCB
AT-31011 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-31011-BLK Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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參數描述
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AT-30533TR1 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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AT-30533-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-30533-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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