參數(shù)資料
型號(hào)： AT-31011-BLK
英文描述： Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
中文描述： 低電流，高性能NPN硅雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 137K
代理商： AT-31011-BLK
4-37
AT-31033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
Γ
OPT
Freq
GHz
0.5
[2]
0.9
1.8
2.4
F
min[1]
dB
0.5
0.6
1.1
1.6
R
n
Mag
0.90
0.82
0.57
0.41
Ang
12
28
68
100
0.70
0.60
0.38
0.22
Notes:
1. Matching constraints may make F
values associated with high |
Γ
| values
unachievable in physical circuits. See Figure 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-31011 Typical Scattering Parameters,
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, Common Emitter, Z
O
= 50
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
0.1
0.95
-8
11.12
3.60
0.5
0.92
-34
10.58
3.38
0.9
0.81
-60
9.74
3.07
1.0
0.79
-66
9.33
2.93
1.5
0.66
-94
8.02
2.52
1.8
0.60
-110
7.18
2.28
2.0
0.57
-119
6.76
2.18
2.4
0.51
-139
5.56
1.90
3.0
0.45
-167
4.22
1.63
4.0
0.45
153
2.30
1.30
5.0
0.49
120
0.73
1.09
S
12
Mag
0.01
0.06
0.09
0.10
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.12
0.14
S
22
dB
-37.91
-24.67
-20.67
-20.03
-18.34
-17.95
-17.73
-17.69
-17.95
-18.33
-17.33
Ang
85
68
53
50
36
30
27
22
19
22
32
Mag
0.999
0.94
0.89
0.88
0.80
0.76
0.74
0.71
0.67
0.64
0.62
Ang
-3
-15
-25
-27
-36
-40
-42
-46
-51
-62
-72
174
150
130
125
104
93
87
74
57
36
17
AT-31011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
Γ
OPT
Freq
GHz
0.5
[2]
0.9
1.8
2.4
F
min[1]
dB
0.5
0.6
1.1
1.6
R
n
Mag
0.90
0.85
0.68
0.55
Ang
13
29
67
98
0.85
0.73
0.46
0.28
Notes:
1. Matching constraints may make F
values associated with high |
Γ
| values
unachievable in physical circuits. See Figure 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-31033 Typical Scattering Parameters,
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, Common Emitter, Z
O
= 50
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
0.1
0.94
-7
11.16
3.61
0.5
0.87
-34
10.37
3.30
0.9
0.70
-58
9.17
2.87
1.0
0.66
-64
8.69
2.72
1.5
0.46
-90
7.11
2.27
1.8
0.36
-106
6.16
2.03
2.0
0.31
-117
5.66
1.92
2.4
0.22
-143
4.48
1.67
3.0
0.16
166
3.19
1.44
4.0
0.23
101
1.39
1.17
5.0
0.33
67
0.05
1.01
S
12
Mag
0.02
0.07
0.11
0.12
0.14
0.15
0.16
0.17
0.19
0.26
0.35
S
22
dB
-35.95
-22.84
-19.06
-18.49
-16.94
-16.40
-16.06
-15.50
-14.34
-11.85
-9.11
Ang
85
68
56
53
45
43
42
42
44
46
41
Mag
0.999
0.92
0.85
0.83
0.74
0.70
0.68
0.66
0.63
0.60
0.56
Ang
-3
-17
-27
-29
-37
-40
-42
-45
-50
-62
-77
173
144
121
115
92
81
74
62
46
25
9
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
Figure 17. AT-31011 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA.
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 18. AT-31033 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA.
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PDF描述
AT-31011-TR1 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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AT31011TR1 制造商:Hewlett Packard Co 功能描述:
AT-31011-TR1 制造商:HEWLETT 功能描述:
AT-31011-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-31011-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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