參數(shù)資料
型號(hào)： AT-31011-BLK
英文描述： Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
中文描述： 低電流，高性能NPN硅雙極晶體管
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 137K
代理商： AT-31011-BLK
4-40
AT-31011 Typical Scattering Parameters,
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA, Common Emitter, Z
O
= 50
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
0.1
0.96
-7
11.10
3.59
0.5
0.94
-31
10.67
3.41
0.9
0.83
-54
9.93
3.14
1.0
0.81
-60
9.57
3.01
1.5
0.68
-86
8.41
2.63
1.8
0.62
-101
7.62
2.40
2.0
0.58
-110
7.27
2.31
2.4
0.52
-129
6.10
2.02
3.0
0.44
-157
4.78
1.73
4.0
0.42
161
2.90
1.40
5.0
0.45
125
1.33
1.17
S
12
Mag
0.01
0.04
0.07
0.08
0.10
0.10
0.10
0.11
0.10
0.10
0.12
S
22
dB
-40.35
-26.95
-22.80
-22.18
-20.33
-19.85
-19.64
-19.50
-19.68
-19.86
-18.35
Ang
84
69
56
53
41
35
32
28
26
31
43
Mag
0.999
0.96
0.92
0.91
0.85
0.81
0.79
0.76
0.73
0.70
0.70
Ang
-2
-13
-22
-23
-31
-35
-37
-41
-45
-55
-65
174
153
133
129
108
97
91
78
62
40
21
AT-31011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 5 V, I
C
= 1 mA
Γ
OPT
Freq
GHz
0.5
[2]
0.9
1.8
2.4
F
min[1]
dB
0.5
0.6
1.1
1.6
R
n
Mag
0.92
0.85
0.68
0.55
Ang
13
29
67
98
0.85
0.73
0.46
0.28
Notes:
1. Matching constraints may make F
values associated with high |
Γ
| values
unachievable in physical circuits. See Figure 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-31033 Typical Scattering Parameters,
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA, Common Emitter, Z
O
= 50
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
0.1
0.95
-7
10.93
3.52
0.5
0.89
-31
10.24
3.25
0.9
0.73
-52
9.20
2.88
1.0
0.70
-57
8.75
2.74
1.5
0.49
-80
7.30
2.32
1.8
0.39
-93
6.41
2.09
2.0
0.34
-102
5.93
1.98
2.4
0.23
-122
4.77
1.73
3.0
0.13
-166
3.49
1.49
4.0
0.17
107
1.71
1.22
5.0
0.28
68
0.32
1.04
AT-31033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, 5 V, I
C
= 1 mA
Γ
OPT
Freq
F
min[1]
GHz
dB
Mag
Ang
0.5
[2]
0.5
0.90
12
0.9
0.6
0.82
28
1.8
1.1
0.57
68
2.4
1.6
0.41
100
Notes:
1. Matching constraints may make F
values associated with high |
Γ
| values
unachievable in physical circuits. See Figure 2 for expected performance.
2. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
S
12
Mag
0.01
0.06
0.09
0.10
0.12
0.13
0.14
0.15
0.17
0.23
0.32
S
22
dB
-37.78
-24.43
-20.49
-19.91
-18.15
-17.54
-17.19
-16.55
-15.35
-12.83
-9.96
Ang
85
70
59
57
49
47
46
46
49
51
48
Mag
0.999
0.94
0.88
0.87
0.79
0.75
0.73
0.71
0.68
0.66
0.64
Ang
-3
-15
-24
-26
-32
-36
-37
-40
-45
-56
-69
173
147
124
119
96
85
78
66
50
29
12
R
n
0.70
0.60
0.38
0.22
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
Figure 23. AT-31011 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA.
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 24. AT-31033 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA.
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PDF描述
AT-31011-TR1 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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AT31011TR1 制造商:Hewlett Packard Co 功能描述:
AT-31011-TR1 制造商:HEWLETT 功能描述:
AT-31011-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-31011-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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