參數(shù)資料
型號： AT-41533-BLKG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： AT-41533-BLKG
9
AT-41511 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 8 V, IC = 25 mA
Freq
Fmin
*opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
1.6
0.08
10
0.20
0.9
1.9
0.10
100
0.19
1.8
2.3
0.22
-170
0.18
2.4
2.7
0.32
-147
0.18
AT-41533Typical Scattering Parameters,Common Emitter, Zo = 50 Ω,VCE = 8V, IC = 25 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.41
-57
30.11
32.026
130
-37.72
0.013
73
0.76
-18
0.5
0.11
-138
18.75
8.664
90
-26.38
0.048
76
0.52
-19
0.9
0.10
168
13.87
4.938
77
-21.51
0.084
75
0.50
-22
1.0
0.10
156
12.99
4.460
74
-20.63
0.093
74
0.50
-24
1.5
0.14
126
9.70
3.054
62
-17.14
0.139
71
0.49
-31
1.8
0.16
115
8.25
2.585
55
-15.60
0.166
68
0.49
-34
2.0
0.17
108
7.45
2.359
51
-14.66
0.185
66
0.49
-37
2.4
0.20
99
6.11
2.020
43
-13.03
0.223
62
0.48
-43
3.0
0.24
89
4.56
1.691
32
-11.03
0.281
56
0.46
-53
4.0
0.30
75
2.80
1.380
15
-8.31
0.384
45
0.43
-72
5.0
0.37
61
1.51
1.190
0
-6.25
0.487
33
0.39
-94
AT-41533 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 8 V, IC = 25 mA
Freq
Fmin
*opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
1.3
0.07
18
0.16
0.9
1.6
0.12
164
0.12
1.8
1.9
0.36
-134
0.15
2.4
2.1
0.51
-109
0.28
AT-41511Typical Scattering Parameters,Common Emitter, Zo = 50 Ω,VCE = 8V, IC = 25 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.55
-65
30.44
33.264
142
-39.17
0.011
66
0.82
-17
0.5
0.44
-155
20.69
10.832
96
-31.37
0.027
61
0.54
-21
0.9
0.44
-179
15.83
6.190
81
-27.54
0.042
66
0.50
-22
1.0
0.44
176
14.95
5.588
78
-26.74
0.046
67
0.50
-23
1.5
0.45
159
11.55
3.779
66
-23.61
0.066
67
0.49
-29
1.8
0.46
150
10.03
3.173
59
-22.16
0.078
67
0.50
-32
2.0
0.46
144
9.14
2.865
55
-21.31
0.086
66
0.50
-35
2.4
0.48
133
7.61
2.401
46
-19.66
0.104
65
0.50
-40
3.0
0.51
119
5.78
1.945
35
-17.72
0.130
61
0.49
-48
4.0
0.57
99
3.39
1.477
17
-15.09
0.176
55
0.49
-63
5.0
0.61
83
1.49
1.187
1
-12.92
0.226
48
0.48
-80
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
Figure 20. AT-41511 Gains vs. Frequency at VCE =
8 V, IC = 25 mA.
Figure 21. AT-41533 Gains vs. Frequency at VCE =
8 V, IC = 25 mA.
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
相關PDF資料
PDF描述
AT-41511-TR1G C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-41511-TR2G C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-41533-TR1G C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-42000-GP4G C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-42000-GP4 C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT-41533-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
AT-41533-TR1 功能描述:IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
AT-41533-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41533-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41535 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor
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