參數(shù)資料
型號: AT89C5131A-RDTIL
廠商: Atmel
文件頁數(shù): 167/185頁
文件大小: 0K
描述: IC 8051 MCU FLASH 32K USB 64VQFP
標準包裝: 160
系列: AT89C513x
核心處理器: C52X2
芯體尺寸: 8-位
速度: 48MHz
連通性: I²C,SPI,UART/USART,USB
外圍設備: LED,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 34
程序存儲器容量: 32KB(32K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
EEPROM 大?。?/td> 4K x 8
RAM 容量: 1.25K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 3.6 V
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 64-LQFP
包裝: 托盤
配用: AT89STK-10-ND - KIT EVAL APPL MASS STORAGE
AT89STK-05-ND - KIT STARTER FOR AT89C5131
其它名稱: AT89C5131-RDTIL-ND
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁當前第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁
dsPIC33FJ06GS101/X02 and dsPIC33FJ16GSX02/X04
DS70318F-page 82
2008-2012 Microchip Technology Inc.
5.2
RTSP Operation
The dsPIC33FJ06GS101/X02 and dsPIC33FJ16GSX02/
X04 Flash program memory array is organized into rows
of 64 instructions or 192 bytes. RTSP allows the user
application to erase a page of memory, which consists of
eight rows (512 instructions) at a time, and to program
one row or one word at a time. Table 24-12 shows typical
erase and programming times. The 8-row erase pages
and single row write rows are edge-aligned from the
beginning of program memory, on boundaries of
1536 bytes and 192 bytes, respectively.
The program memory implements holding buffers that
can contain 64 instructions of programming data. Prior
to the actual programming operation, the write data
must be loaded into the buffers sequentially. The
instruction words loaded must always be from a group
of 64 boundary.
The basic sequence for RTSP programming is to set up
a Table Pointer, then do a series of TBLWT instructions
to load the buffers. Programming is performed by
setting the control bits in the NVMCON register. A total
of 64 TBLWTL and TBLWTH instructions are required
to load the instructions.
All of the table write operations are single-word writes
(two instruction cycles) because only the buffers are
written.
A
programming
cycle
is
required
for
programming each row.
5.3
Programming Operations
A complete programming sequence is necessary for
programming or erasing the internal Flash in RTSP
mode.
The
processor
stalls
(waits)
until
the
programming operation is finished.
The programming time depends on the FRC accuracy
(see Table 24-20) and the value of the FRC Oscillator
Tuning register (see Register 8-4). Use the following
formula to calculate the minimum and maximum values
for the Row Write Time, Page Erase Time, and Word
Write Cycle Time parameters (see Table 24-12).
EQUATION 5-1:
PROGRAMMING TIME
For example, if the device is operating at +125°C, the
FRC accuracy will be ±5%. If the TUN<5:0> bits (see
Register 8-4) are set to ‘b111111, the minimum row
write time is equal to Equation 5-2.
EQUATION 5-2:
MINIMUM ROW WRITE
TIME
The maximum row write time is equal to Equation 5-3.
EQUATION 5-3:
MAXIMUM ROW WRITE
TIME
Setting the WR bit (NVMCON<15>) starts the opera-
tion, and the WR bit is automatically cleared when the
operation is finished.
5.4
Control Registers
Two SFRs are used to read and write the program
Flash memory: NVMCON and NVMKEY.
The NVMCON register (Register 5-1) controls which
blocks are to be erased, which memory type is to be
programmed and the start of the programming cycle.
NVMKEY is a write-only register that is used for write
protection. To start a programming or erase sequence,
the user application must consecutively write 0x55 and
0xAA to the NVMKEY register. Refer to Section 5.3
“Programming Operations” for further details.
T
7.37 MHz
FRC Accuracy
()%
FRC Tuning
()%
×
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
T
RW
11064 Cycles
7.37 MHz
10.05
+
()
1
0.00375
()
×
----------------------------------------------------------------------------------------------
1.435ms
=
T
RW
11064 Cycles
7.37 MHz
10.05
()
1
0.00375
()
×
----------------------------------------------------------------------------------------------
1.586ms
=
相關PDF資料
PDF描述
PIC24EP64GP202-I/SP MCU 16BIT 64KB FLASH 28SPDIP
PIC24EP64MC202-I/SP MCU 16BIT 64KB FLASH 28SPDIP
PIC18LF26J53-I/SP IC PIC MCU 64KB FLASH 28SPDIP
PIC24EP64GP204-I/PT MCU 16BIT 64KB FLASH 44TQFP
PIC16C56-XT/SO IC MCU OTP 1KX12 18SOIC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AT89C5131A-RDTIM 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Flash Microcontroller with Full Speed USB Device
AT89C5131A-RDTUL 功能描述:8位微控制器 -MCU 32K Flash 3V USB RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
AT89C5131A-RDTUM 功能描述:8位微控制器 -MCU C5130A 32K Flash RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
AT89C5131A-RDTUM 制造商:Atmel Corporation 功能描述:IC 8BIT MCU C51/C251 48MHZ 64-VQFP
AT89C5131A-S3SIL 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Flash Microcontroller with Full Speed USB Device