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參數(shù)資料
| 型號： | AT89C51ED2-RDTUM |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 54/137頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC 8051 MCU FLASH 64K 64VQFP |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | MCU Product Line Introduction |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 800 |
| 系列： | 89C |
| 核心處理器： | 8051 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 60MHz |
| 連通性： | SPI，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 50 |
| 程序存儲器容量： | 64KB（64K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 2K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 44-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 配用： | AT89OCD-01-ND - USB EMULATOR FOR AT8XC51 MCU |
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23
4235K–8051–05/08
AT89C51RD2/ED2
9.
Expanded RAM (XRAM)
The AT89C51RD2/ED2 provides additional on-chip random access memory (RAM) space for
increased data parameter handling and high level language usage.
AT89C51RD2/ED2 device haS expanded RAM in external data space configurable up to 1792
bytes (see Table 9-1).
The AT89C51RD2/ED2 internal data memory is mapped into four separate segments.
The four segments are:
1.
The Lower 128 bytes of RAM (addresses 00h to 7Fh) are directly and indirectly
addressable.
2.
The Upper 128 bytes of RAM (addresses 80h to FFh) are indirectly addressable only.
3.
The Special Function Registers, SFRs, (addresses 80h to FFh) are directly address-
able only.
4.
The expanded RAM bytes are indirectly accessed by MOVX instructions, and with the
EXTRAM bit cleared in the AUXR register (see Table 9-1).
The lower 128 bytes can be accessed by either direct or indirect addressing. The Upper 128
bytes can be accessed by indirect addressing only. The Upper 128 bytes occupy the same
address space as the SFR. That means they have the same address, but are physically sepa-
rate from SFR space.
Figure 9-1.
Internal and External Data Memory Address
When an instruction accesses an internal location above address 7Fh, the CPU knows whether
the access is to the upper 128 bytes of data RAM or to SFR space by the addressing mode used
in the instruction.
Instructions that use direct addressing access SFR space. For example: MOV 0A0H, # data,
accesses the SFR at location 0A0h (which is P2).
Instructions that use indirect addressing access the Upper 128 bytes of data RAM. For
example: MOV @R0, # data where R0 contains 0A0h, accesses the data byte at address
0A0h, rather than P2 (whose address is 0A0h).
The XRAM bytes can be accessed by indirect addressing, with EXTRAM bit cleared and
MOVX instructions. This part of memory which is physically located on-chip, logically
occupies the first bytes of external data memory. The bits XRS0 and XRS1 are used to hide a
XRAM
Upper
128 Bytes
Internal
RAM
Lower
128 Bytes
Internal
RAM
Special
Function
Register
80h
00
0FFh or 6FFh
0FFh
00
0FFh
External
Data
Memory
0000
00FFh up to 06FFh
0FFFFh
Indirect Accesses
Direct Accesses
Direct or Indirect
Accesses
7Fh
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| AT89C51ED2-RLRUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU C51ED2 64K FLASH 3-5.5V Ind RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| AT89C51ED2-RLTIM | 功能描述:IC 8051 MCU FLASH 64K 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包裝:管件 |
| AT89C51ED2-RLTUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU 64kB Flash 2048B RAM 2.7V-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| AT89C51ED2-SLRIM | 功能描述:IC MCU FLASH 8051 64K 5V 44-PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR) |
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