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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AT90S8515A-8PC |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 94/112頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 8K FLSH 8MHZ 40DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 18 |
| 系列： | AVR® 90S |
| 核心處理器： | AVR |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 連通性： | SPI，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 32 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 8KB（4K x 16） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大小： | 512 x 8 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 4 V ~ 6 V |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 40-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 包裝： | 管件 |
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82
AT90S8515
0841G–09/01
1.
Set BS to “1”. This selects high data.
2.
Give WR a negative pulse. This starts programming of the data byte. RDY/BSY
goes low.
3.
Wait until RDY/BSY goes high to program the next byte.
(See Figure 62 for signal waveforms.)
The loaded command and address are retained in the device during programming. For
efficient programming, the following should be considered:
The command needs only be loaded once when writing or reading multiple memory
locations.
Address high byte needs only be loaded before programming a new 256-word page
in the Flash.
Skip writing the data value $FF, that is, the contents of the entire Flash and
EEPROM after a Chip Erase.
These considerations also apply to EEPROM programming and Flash, EEPROM and
signature byte reading.
Figure 61. Programming the Flash Waveforms
$10
ADDR. HIGH
ADDR. LOW
DATA LOW
DATA
XA1
XA0
BS
XTAL1
WR
RDY/BSY
RESET
OE
12V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT90S8515A-8PI | 功能描述:IC MCU 8BIT 8KB FLASH 40DIP 制造商:microchip technology 系列:AVR? 90S 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) 核心處理器:AVR 核心尺寸:8-位 速度:8MHz 連接性:SPI，UART/USART 外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT I/O 數(shù):32 程序存儲(chǔ)容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 容量:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器類型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 供應(yīng)商器件封裝:40-PDIP 基本零件編號(hào):AT90S8515 標(biāo)準(zhǔn)包裝:18 |
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