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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATF-50189-TR1G |
| 廠商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 21/21頁 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | ATF-50189-TR1G |
9
ATF-50189 Typical Performance Curves, continued
Tuned for Optimal P1dB at Vd = 4.5V, Ids = 280 mA, Operating Frequency = 900 MHz.
Figure 23. OIP3 vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
OIP3
(dBm)
120
440
160
200
240
280 320
360
400
46
44
42
40
38
36
34
32
30
28
3.5V
4.5V
5.5V
Figure 24. P1dB vs. Idsq and Vds at 900 MHz.
Idsq (mA)
P1dB
(dBm)
120
440
160
200
240
280 320
360
400
34
32
30
28
26
24
3.5V
4.5V
5.5V
Figure 25. Gain vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
GAIN
(dB)
120
440
160
200
240
280 320
360
400
21
20.8
20.6
20.4
20.2
20
19.8
19.6
19.4
19.2
19
3.5V
4.5V
5.5V
Figure 26. PAE vs. Idsq and Vds at 900 MHz.
Idsq (mA)
PAE
(%)
120
440
160
200
240
280 320
360
400
70
65
60
55
50
45
40
35
30
3.5V
4.5V
5.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-501P8-BLKG | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR1G | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR2G | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR2 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-50189-TR2 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF501P8 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Agilent ATF-501P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm2 LPCC Package |
| ATF-501P8 | 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK |
| ATF-501P8-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-501P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
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