參數(shù)資料
型號(hào): ATTINY2313-20SU
廠商: Atmel
文件頁(yè)數(shù): 113/225頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU AVR 2K FLASH 20SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: MCU Product Line Introduction
tinyAVR Introduction
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 37
系列: AVR® ATtiny
核心處理器: AVR
芯體尺寸: 8-位
速度: 20MHz
連通性: SPI,UART/USART
外圍設(shè)備: 欠壓檢測(cè)/復(fù)位,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 18
程序存儲(chǔ)器容量: 2KB(1K x 16)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
EEPROM 大?。?/td> 128 x 8
RAM 容量: 128 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 5.5 V
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 612 (CN2011-ZH PDF)
配用: ATSTK600-DIP40-ND - STK600 SOCKET/ADAPTER 40-PDIP
ATAVRDRAGON-ND - KIT DRAGON FLASH MEM AVR
ATAVRISP2-ND - PROGRAMMER AVR IN SYSTEM
ATJTAGICE2-ND - AVR ON-CHIP D-BUG SYSTEM
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2543L–AVR–08/10
ATtiny2313
The next code examples show assembly and C functions for reading the EEPROM. The exam-
ples assume that interrupts are controlled so that no interrupts will occur during execution of
these functions.
Preventing EEPROM
Corruption
During periods of low VCC, the EEPROM data can be corrupted because the supply voltage is
too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the same as for
board level systems using EEPROM, and the same design solutions should be applied.
An EEPROM data corruption can be caused by two situations when the voltage is too low. First,
a regular write sequence to the EEPROM requires a minimum voltage to operate correctly. Sec-
ondly, the CPU itself can execute instructions incorrectly, if the supply voltage is too low.
EEPROM data corruption can easily be avoided by following this design recommendation:
Keep the AVR RESET active (low) during periods of insufficient power supply voltage. This can
be done by enabling the internal Brown-out Detector (BOD). If the detection level of the internal
BOD does not match the needed detection level, an external low VCC reset Protection circuit can
be used. If a reset occurs while a write operation is in progress, the write operation will be com-
pleted provided that the power supply voltage is sufficient.
I/O Memory
The I/O space definition of the ATtiny2313 is shown in “Register Summary” on page 211.
All ATtiny2313 I/Os and peripherals are placed in the I/O space. All I/O locations may be
accessed by the LD/LDS/LDD and ST/STS/STD instructions, transferring data between the 32
Assembly Code Example
EEPROM_read:
; Wait for completion of previous write
sbic
EECR,EEPE
rjmp
EEPROM_read
; Set up address (r17) in address register
out
EEAR, r17
; Start eeprom read by writing EERE
sbi
EECR,EERE
; Read data from data register
in
r16,EEDR
ret
C Code Example
unsigned char
EEPROM_read(unsigned int uiAddress)
{
/* Wait for completion of previous write */
while(EECR & (1<<EEPE))
;
/* Set up address register */
EEAR = uiAddress;
/* Start eeprom read by writing EERE */
EECR |= (1<<EERE);
/* Return data from data register */
return EEDR;
}
相關(guān)PDF資料
PDF描述
70295-002 GUIDE PIN
ATTINY24-20PU IC MCU AVR 2K FLASH 20MHZ 14-DIP
ATTINY24V-10PU IC MCU AVR 2K FLASH 10MHZ 14-DIP
ATTINY13-20SSQ MCU AVR 1KB FLASH 20MHZ 8SOIC GW
ATTINY13-20SQ MCU AVR 1KB FLASH 20MHZ 8SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATTINY2313-20SU SL383 制造商:Atmel Corporation 功能描述:MCU 8-Bit ATtiny AVR RISC 2KB Flash 3.3V/5V 20-Pin SOIC W T/R
ATTINY2313-20SU SL514 制造商:Atmel Corporation 功能描述:
ATTINY2313-20SUR 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 2KB FLSH 128B EE 128B SRAM 1UART 20P RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
ATTINY2313-20SUR SL514 制造商:Atmel Corporation 功能描述:
ATTINY2313A 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Microcontroller with 2/4K Bytes In-System Programmable Flash