參數(shù)資料
型號(hào): ATTINY44A-SSUR
廠商: Atmel
文件頁(yè)數(shù): 48/135頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MCU AVR 4KB FLASH 20MHZ 14SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: MCU Product Line Introduction
tinyAVR Introduction
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: AVR® ATtiny
核心處理器: AVR
芯體尺寸: 8-位
速度: 20MHz
連通性: USI
外圍設(shè)備: 欠壓檢測(cè)/復(fù)位,POR,PWM,溫度傳感器,WDT
輸入/輸出數(shù): 12
程序存儲(chǔ)器容量: 4KB(2K x 16)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
EEPROM 大小: 256 x 8
RAM 容量: 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.8 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 8x10b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: ATTINY44A-SSURDKR
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8183F–AVR–06/12
ATtiny24A/44A/84A
The next code examples show assembly and C functions for reading the EEPROM. The exam-
ples assume that interrupts are controlled so that no interrupts will occur during execution of
these functions.
Note:
5.3.7
Preventing EEPROM Corruption
During periods of low V
CC, the EEPROM data can be corrupted because the supply voltage is
too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the same as for
board level systems using EEPROM, and the same design solutions should be applied.
An EEPROM data corruption can be caused by two situations when the voltage is too low. First,
a regular write sequence to the EEPROM requires a minimum voltage to operate correctly. Sec-
ondly, the CPU itself can execute instructions incorrectly, if the supply voltage is too low.
EEPROM data corruption can easily be avoided by following this design recommendation:
Keep the AVR RESET active (low) during periods of insufficient power supply voltage. This can
be done by enabling the internal Brown-out Detector (BOD). If the detection level of the internal
BOD does not match the needed detection level, an external low V
CC reset protection circuit can
Assembly Code Example
EEPROM_read:
; Wait for completion of previous write
sbic
EECR, EEPE
rjmp
EEPROM_read
; Set up address (r18:r17) in address registers
out
EEARH, r18
out
EEARL, r17
; Start eeprom read by writing EERE
sbi
EECR, EERE
; Read data from data register
in
r16, EEDR
ret
C Code Example
unsigned char
EEPROM_read(unsigned int ucAddress)
{
/* Wait for completion of previous write */
while(EECR & (1<<EEPE))
;
/* Set up address register */
EEAR = ucAddress;
/* Start eeprom read by writing EERE */
EECR |= (1<<EERE);
/* Return data from data register */
return EEDR;
}
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
ATTINY44V 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:8-bit Microcontroller with 2/4/8K Bytes In-System Programmable Flash
ATTINY44V-10MU 功能描述:8位微控制器 -MCU 4kB Flash 0.256kB EEPROM 12 I/O Pins RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
ATTINY44V-10MUR 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB FLSH 256B EE256B SRAM-10MHz, IND 1.8V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
ATTINY44V-10PU 功能描述:8位微控制器 -MCU 4kB Flash 0.256kB EEPROM 12 I/O Pins RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
ATTINY44V-10SSU 功能描述:8位微控制器 -MCU 4kB Flash 0.256kB EEPROM 12 I/O Pins RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT