參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRF7669L2TR
元件分類： JFETs
英文描述： 19 A, 100 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-9
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大小： 243K
代理商： AUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TR/TR1
6
www.irf.com
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature
Fig 13. Maximum Safe Operating Area
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 16. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
12A
19A
BOTTOM 68A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
he
rm
al
R
es
po
ns
e
(
Z
th
JC
)
°C
/W
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci
i
/Ri
Ci=
τi/Ri
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τi (sec)
0.1080
0.000171
0.6140
0.053914
0.4520
0.006099
1.47e-05
0.036168
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
0.1
1
10
100
1000
A
va
la
nc
he
C
ur
re
nt
(A
)
0.05
Duty Cycle = Single Pulse
0.10
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
ΔΤ j = 25°C and
Tstart = 150°C.
0.01
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
ΔTj = 150°C and
Tstart =25°C (Single Pulse)
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRF7669L2TR1 19 A, 100 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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AUIRFP2907Z 170 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
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