參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRF7738L2TR1
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 40 V, 0.0016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-7
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 294K
代理商： AUIRF7738L2TR1
6
www.irf.com
AUIRF7738L2TR/TR1
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature
Fig 13. Maximum Safe Operating Area
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 16. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
17A
29A
BOTTOM 109A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
he
rm
al
R
es
po
ns
e
(
Z
th
JC
)
°C
/W
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci
i
/Ri
Ci=
τi/Ri
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τi (sec)
0.00399
18.81517
0.81430
0.03055
0.15982
0.00014
0.62239
0.00402
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
0.1
1
10
100
1000
A
va
la
nc
he
C
ur
re
nt
(A
)
0.05
Duty Cycle = Single Pulse
0.10
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
Τ j = 25°C and
Tstart = 150°C.
0.01
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
Tj = 150°C and
Tstart =25°C (Single Pulse)
0.10
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100sec
1msec
10msec
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRF7739L2TR1 46 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AUIRF7739L2TR 46 A, 40 V, 0.001 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AUIRFB3207 75 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
AUIRFP2907 90 A, 75 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
AUIRFR120ZTRL 8.7 A, 100 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AUIRF7739L2TR 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRF7739L2TR_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Automotive DirectFET Power MOSFET
AUIRF7739L2TR1 功能描述:MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRF7749L2TR 功能描述:MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta），345A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 120A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:275nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10655pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET L8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AUIRF7759L2TR 功能描述:MOSFET Automotive 75V 160A 2.3mOhm DirectFET 2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*