參數(shù)資料
型號： AUIRLR2703TRR
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： AUIRLR2703TRR
AUIRLR2703
www.irf.com
7
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
0
40
80
120
160
25
50
75
100
125
150
175
J
E
,
S
in
gle
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y(m
J)
AS
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V
= 15V
I
TOP
5.7A
9.9A
BOTTOM 14A
DD
D
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PDF描述
AUIRLR2703TRL 20 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRLR2703 20 A, 30 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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AUIRLR2905TRR 42 A, 55 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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參數(shù)描述
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AUIRLR2905TR 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRLR2905TRL 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRLR2905TRR 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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