BSS169 E6327

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BSS169 E6327
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSS169 E6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
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功能描述
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
SIPMOS®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

BSS169 E6327 技術參數(shù)

BSS159NL6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS159NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS159NH6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS159NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:39pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS159NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 BSS192PL6327HTSA1 BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327