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BSS225H6327XTSA1

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  • BSS225H6327XTSA1
    BSS225H6327XTSA1

    BSS225H6327XTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • INFINEON

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BSS225H6327XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • SIPMOS?
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 90mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 45 歐姆 @ 90mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.3V @ 94μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 5.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 131pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • PG-SOT89
  • 標準包裝
  • 1,000
BSS225H6327XTSA1 技術參數(shù)
  • BSS225H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS225 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 BSS223PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):390mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 390mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS223PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):390mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 390mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS215PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):346pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS314PEL6327HTSA1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L
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