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BSS192PH6327XTSA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSS192PH6327XTSA1
    BSS192PH6327XTSA1

    BSS192PH6327XTSA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT89

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進(jìn)口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSS192PH6327XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • SIPMOS?
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 190mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 12 歐姆 @ 190mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2V @ 130μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 6.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 104pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-SOT89
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
BSS192PH6327XTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS192PH6327FTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS192,135 功能描述:MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSS192,115 功能描述:MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):560mW(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 封裝/外殼:TO-243AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1
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