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BSS670S2LH6433XTMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • BSS670S2LH6433XTMA1
    BSS670S2LH6433XTMA1

    BSS670S2LH6433XTMA1

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2779

  • Infineon Technologies

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權(quán)分銷(xiāo)商,可追溯原廠可含稅

  • BSS670S2LH6433XTMA1
    BSS670S2LH6433XTMA1

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • QFP

  • 20+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSS670S2LH6433XTMA1
    BSS670S2LH6433XTMA1

    BSS670S2LH6433XTMA1

  • 深圳市百潤(rùn)電子有限公司
    深圳市百潤(rùn)電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A

  • 3000

  • TI

  • new and original

  • 23+

  • -
  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫(kù)存*全網(wǎng)最低

  • BSS670S2LH6433XTMA1
    BSS670S2LH6433XTMA1

    BSS670S2LH6433XTMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • BSS670S2LH6433XTMA1
    BSS670S2LH6433XTMA1

    BSS670S2LH6433XTMA1

  • 深圳市利恒聚電子有限公司
    深圳市利恒聚電子有限公司

    聯(lián)系人:劉小姐

    電話:0755-825433821363166885613163734598

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1005、1007、1015號(hào)華強(qiáng)電子世界2號(hào)樓3層23C105

  • 16740

  • Infineon/英飛凌

  • 18+

  • -
  • 原裝正品。我是配單專家,終端采購(gòu)配單首選...

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  • 1
BSS670S2LH6433XTMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10,000
BSS670S2LH6433XTMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS670S2LH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.26nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):75pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS670S2L H6327 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS670S2L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS64LT1G 功能描述:TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 15mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS64LT1 功能描述:TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 15mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215
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