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BSS7728NH6327XTSA1

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    BSS7728NH6327XTSA1

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • BSS7728NH6327XTSA1
    BSS7728NH6327XTSA1

    BSS7728NH6327XTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • BSS7728NH6327XTSA1
    BSS7728NH6327XTSA1

    BSS7728NH6327XTSA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • INFINEON

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BSS7728NH6327XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
BSS7728NH6327XTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS7728N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS670S2LL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:540mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 270mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS670S2LH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:10,000 BSS670S2LH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:540mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 270mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS670S2L H6327 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:540mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 270mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315
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