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BUK9Y43-60E,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • BUK9Y43-60E,115 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
    BUK9Y43-60E,115 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

    BUK9Y43-60E,115 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 25200

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • BUK9Y43-60E,115
    BUK9Y43-60E,115

    BUK9Y43-60E,115

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 12329

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 20+

  • -

  • 進(jìn)口原裝正品假一賠十

  • BUK9Y43-60E,115
    BUK9Y43-60E,115

    BUK9Y43-60E,115

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

  • 385500

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • BUK9Y43-60E,115
    BUK9Y43-60E,115

    BUK9Y43-60E,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK9Y43-60E,115
    BUK9Y43-60E,115

    BUK9Y43-60E,115

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • BUK9Y43-60E,115 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
    BUK9Y43-60E,115 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

    BUK9Y43-60E,115 MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 45000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • -

  • 授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

  • BUK9Y43-60E,115
    BUK9Y43-60E,115

    BUK9Y43-60E,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • BUK9Y43-60E,115
    BUK9Y43-60E,115

    BUK9Y43-60E,115

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 1909

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
BUK9Y43-60E,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V LFPAK
BUK9Y43-60E,115 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9Y41-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:64W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y40-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1020pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y3R5-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5137pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號(hào):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y3R0-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5962pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:194W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y38-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2541pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:94.9W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y7R6-40E,115 BUK9Y7R8-80E,115 BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y98-80E,115 BUK9Y9R9-80E,115 BU-L0000-375 BU-L0000-375TIN BU-L0000-500TIN BU-L000-500TIN BU-L00-375 BU-L00-375TIN BU-L00-500TIN BU-L0-375 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN BUL1102E BUL1102EFP
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