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BUK9Y4R4-40E,115

配單專家企業(yè)名單
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  • BUK9Y4R4-40E,115
    BUK9Y4R4-40E,115

    BUK9Y4R4-40E,115

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 13620

  • NXP

  • N/A

  • 23+

  • -
  • 只做全新原裝正品現(xiàn)貨

  • BUK9Y4R4-40E,115
    BUK9Y4R4-40E,115

    BUK9Y4R4-40E,115

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -
  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • BUK9Y4R4-40E,115
    BUK9Y4R4-40E,115

    BUK9Y4R4-40E,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK9Y4R4-40E,115
    BUK9Y4R4-40E,115

    BUK9Y4R4-40E,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
BUK9Y4R4-40E,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK9Y4R4-40E/LFPAK/REEL7// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V LFPAK
BUK9Y4R4-40E,115 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9Y43-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):22A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.2nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y41-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):24A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):11.9nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):64W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y40-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):26A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1020pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):59W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):36 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y3R5-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):30.2nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5137pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 基本零件編號:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y3R0-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):35.5nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5962pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):194W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y7R8-80E,115 BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y98-80E,115 BUK9Y9R9-80E,115 BU-L0000-375 BU-L0000-375TIN BU-L0000-500TIN BU-L000-500TIN BU-L00-375 BU-L00-375TIN BU-L00-500TIN BU-L0-375 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN BUL1102E BUL1102EFP BUL1203E
配單專家
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