您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 > B字母第1517頁 >

BSO615N

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSO615N
    BSO615N

    BSO615N

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 3000

  • INFINEON

  • SOP8

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • BSO615N
    BSO615N

    BSO615N

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • INFINEON

  • SOP8

  • 19+

  • -
  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險

  • BSO615NG
    BSO615NG

    BSO615NG

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17841084408

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 12850

  • INFINEON

  • SOP8

  • 19+原裝正品

  • -
  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

  • BSO615NG
    BSO615NG

    BSO615NG

  • 深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
    深圳市貿(mào)盛微電子有限公司

    聯(lián)系人:周先生

    電話:0755-8220875218127068687

    地址:深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2500

  • Infineon

  • 10+

  • -
  • 專業(yè)經(jīng)銷,原裝正品

  • BSO615NG
    BSO615NG

    BSO615NG

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18320850923

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 180

  • INFINEON/英飛凌

  • SOP-8

  • 16+

  • -
  • 真芯合作銳意進取

  • BSO615NG
    BSO615NG

    BSO615NG

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • Infineon

  • 22+

  • N/A

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • BSO615N
    BSO615N

    BSO615N

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • BSO615NGHUMA1
    BSO615NGHUMA1

    BSO615NGHUMA1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 2500

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

BSO615N PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
  • 系列
  • SIPMOS®
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫歐 @ 4.6A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • PowerPAK? SO-8
  • 供應商設(shè)備封裝
  • PowerPAK? SO-8
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
BSO615N 技術(shù)參數(shù)
  • BSO615CT 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.1A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 3.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO615CGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.1A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 3.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO615 標準包裝:1 BSO615C G 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.1A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 3.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO613SPVGHUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.44A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 3.44A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 BSO613SPV G 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.44A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 3.44A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115
配單專家

在采購BSO615N進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BSO615N產(chǎn)品風險,建議您在購買BSO615N相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的BSO615N信息由會員自行提供,BSO615N內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號