參數(shù)資料
型號(hào)： BAT754SERIES
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Schottky barrier (double) diodes
中文描述： 肖特基勢壘（雙）二極管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 47K
代理商： BAT754SERIES
1999 Aug 05
3
Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier (double) diodes
BAT754 series
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
= 300
μ
s;
δ ≤
0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SOT23 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
continuous reverse voltage
continuous forward current
repetitive peak forward current
non-repetitive peak forward current
30
200
300
600
V
mA
mA
mA
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
t = 8.3 ms half sinewave;
JEDEC method
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
65
65
+150
125
+125
°
C
°
C
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
V
F
forward voltage
see Fig.6
I
F
= 0.1 mA
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 30 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 25 V; note 1; see Fig.7
f = 1 MHz; V
R
= 1 V; see Fig.8
600
200
260
340
420
2
10
mV
mV
mV
mV
mV
μ
A
pF
I
R
C
d
reverse current
diode capacitance
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to
ambient
note 1
500
K/W
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